我院師生受邀參加第18屆國際晶體生長與外延會議并作工作匯報
【 發(fā)布日期：2016-09-26 | 點擊：】
8月7日-8月12日，第18屆國際晶體生長與外延會議（ICCGE-18）在日本名古屋召開。本次會議以“基于創(chuàng)新型晶體生長的基礎研究”為主題，吸引了來自全世界數(shù)千名晶體材料研究者和數(shù)名諾貝爾獎獲得者，2014年諾貝爾物理學獎獲得者赤崎勇受邀作了全體報告。
我校特聘教授材料物理教研室趙洪陽老師受邀參加了此次會議，并作了題為“A novel class of multiferroic single crystals: Bi4Ti3O12·nBiFeO3”的報告，我院2015級材料物理與化學專業(yè)研究生蔡康、黃志登也參與了本次會議并分別作了題為“Ferroelctric and domain characterization of K0.5Bi4.5Ti4O15 crystal”，“ Multiferroic properties of a series of the n=4 Aurivillius-phase single crystal: Bi5Ti3MO15(M= Cu, V, Ni, Mn)”的報告。
國際晶體生長會議由國際晶體生長組織（International Organization for Crystal Growth）主辦，會議每3年舉辦一次。會議內容包括：晶體生長理論；晶體硅與光伏材料；窄禁帶與化合物半導體材料； III-V族與寬禁帶半導體的晶體生長； 薄膜與晶體外延生長；激光與非線性光學晶體生長；閃爍、鐵電、壓電和多功能晶體的生長；熱電、磁-電晶體材料；新型晶體材料與生長新技術；其它材料的單晶 生長技術；工業(yè)晶體生長；有機與生物結晶；光子與聲子晶體與理論；納米晶體材料等。
